Справочник MOSFET. SMC3535

 

SMC3535 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMC3535
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для SMC3535

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMC3535 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  semtron
 smc3535.pdf pdf_icon

SMC3535

SMC3535 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe SMC3535 is the P-Channel logic enhancement -30V/-5.8A, RDS(ON) =47m(typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-4.0A, RDS(ON) =54m(typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-3.0A, RDS(ON) =70m(typ.)@VGS =-2.5V provide exce

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRF640NLPBF | APQ08SN50B | AP06P20GJ-HF

 

 
Back to Top

 


 
.