SML1310IGF Todos los transistores

 

SML1310IGF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SML1310IGF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 463 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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SML1310IGF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  semelab
 sml1310ig sml1310igf.pdf pdf_icon

SML1310IGF

SML1310IGFMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET4.504.8110.400.75 FOR HIREL10.800.95APPLICATIONS3.50Dia.3.70VDS 100V1 2 31.0 dia.ID(max) 18A3 placesRDS(on) .044FEATURES0.75 HERMETICALLY SEALED TO257 METAL0.852.54 2.65PACKAGEBSC 2.96 SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS LIGHTWEIGHT SCREENING

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History: BUK114-50L-S | AP60L02GJ | NTGS3447PT1G | SRC65R290E | NCE60ND20AK | AP4533GEM-HF

 

 
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