SML1310IGF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SML1310IGF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для SML1310IGF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML1310IGF даташит

 ..1. Size:38K  semelab
 sml1310ig sml1310igf.pdf pdf_icon

SML1310IGF

SML1310IGF MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET 4.50 4.81 10.40 0.75 FOR HI REL 10.80 0.95 APPLICATIONS 3.50 Dia. 3.70 VDS 100V 1 2 3 1.0 dia. ID(max) 18A 3 places RDS(on) .044 FEATURES 0.75 HERMETICALLY SEALED TO257 METAL 0.85 2.54 2.65 PACKAGE BSC 2.96 SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS LIGHTWEIGHT SCREENING

Другие IGBT... SML100H9, SML100J19F, SML100L16, SML100M12MSF, SML10B75F, SML1248NC2A, SML1248PC2A, SML1310IG, IRFB4110, SML2005SMD1, SML20B56F, SML20B67F, SML20J175F, SML20J97F, SML20L100F, SML2308CSM4, SML25SCM650N2A