IXTK74N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTK74N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 416 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 74 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 300 nC
Tiempo de subida (tr): 230 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1275 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO264
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IXTK74N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:128K ixys
ixth68n20 ixtk74n20.pdf
ixth68n20 ixtk74n20.pdf
VDSS ID25 RDS(on)High CurrentIXTK 74 N20 200 V 74 A 35 mWMegaMOSTMFETIXTH 68 N20 200 V 68 A 35 mWN-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-247AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 200 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 74N20 74 A68N20 68 A TO-264 AA (I
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
