Справочник MOSFET. IXTK74N20

 

IXTK74N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTK74N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для IXTK74N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK74N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  ixys
 ixth68n20 ixtk74n20.pdf pdf_icon

IXTK74N20

VDSS ID25 RDS(on)High CurrentIXTK 74 N20 200 V 74 A 35 mWMegaMOSTMFETIXTH 68 N20 200 V 68 A 35 mWN-Channel Enhancement ModePreliminary dataSymbol Test conditions Maximum ratings TO-247AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1.0 M 200 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 74N20 74 A68N20 68 A TO-264 AA (I

Другие MOSFET... IXTH6N90 , IXTH6N90A , IXTH75N10 , IXTH7P50 , IXTH8P50 , IXTK21N100 , IXTK33N45 , IXTK33N50 , 20N50 , IXTM10N100 , IXTM10N90 , IXTM11N80 , IXTM12N100 , IXTM12N50A , IXTM12N90 , IXTM13N80 , IXTM14N80 .

 

 
Back to Top

 


 
.