IXTK74N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTK74N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 300 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXTK74N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTK74N20 даташит

 ..1. Size:128K  ixys
 ixth68n20 ixtk74n20.pdf pdf_icon

IXTK74N20

VDSS ID25 RDS(on) High Current IXTK 74 N20 200 V 74 A 35 mW MegaMOSTMFET IXTH 68 N20 200 V 68 A 35 mW N-Channel Enhancement Mode Preliminary data Symbol Test conditions Maximum ratings TO-247AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 200 V D (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 74N20 74 A 68N20 68 A TO-264 AA (I

Другие IGBT... IXTH6N90, IXTH6N90A, IXTH75N10, IXTH7P50, IXTH8P50, IXTK21N100, IXTK33N45, IXTK33N50, STP80NF70, IXTM10N100, IXTM10N90, IXTM11N80, IXTM12N100, IXTM12N50A, IXTM12N90, IXTM13N80, IXTM14N80