SML6609ASMD05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SML6609ASMD05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-276AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SML6609ASMD05

SML6609ASMD05 Datasheet (PDF)

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sml6609asmd05.pdf

P-CHANNEL POWER MOSFET SML6609ASMD05 Electrically Isolated and Hermetically Sealed Surface Mount Package Ultra Low On State Resistance Fast Switching Low Gate Charge Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -30V VGS Gate Source Voltage 20V ID Continuous Drain Cu

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Liste

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