SML6609ASMD05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SML6609ASMD05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-276AA
Búsqueda de reemplazo de SML6609ASMD05 MOSFET
SML6609ASMD05 Datasheet (PDF)
sml6609asmd05.pdf

P-CHANNEL POWER MOSFET SML6609ASMD05 Electrically Isolated and Hermetically Sealed Surface Mount Package Ultra Low On State Resistance Fast Switching Low Gate Charge Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -30V VGS Gate Source Voltage 20V ID Continuous Drain Cu
Otros transistores... SML3525HN , SML4020AN , SML40H19 , SML50A23 , SML50C15 , SML50J10RU2 , SML50J44F , SML50L47F , IRFB3607 , SML8028JVR , SML8030LVR , SML8056BVR , SML8065BVR , SML8075BVR , SML80B13F , SML80B16F , SML80J25F .
History: SWI7N65D | SSM9987GM | IPL60R360P6S | GKI06109 | NTTFS4930NTAG | WML13N50C4 | TPC8063-H
History: SWI7N65D | SSM9987GM | IPL60R360P6S | GKI06109 | NTTFS4930NTAG | WML13N50C4 | TPC8063-H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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