Справочник MOSFET. SML6609ASMD05

 

SML6609ASMD05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML6609ASMD05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-276AA
 

 Аналог (замена) для SML6609ASMD05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML6609ASMD05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  semelab
 sml6609asmd05.pdf pdf_icon

SML6609ASMD05

P-CHANNEL POWER MOSFET SML6609ASMD05 Electrically Isolated and Hermetically Sealed Surface Mount Package Ultra Low On State Resistance Fast Switching Low Gate Charge Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -30V VGS Gate Source Voltage 20V ID Continuous Drain Cu

Другие MOSFET... SML3525HN , SML4020AN , SML40H19 , SML50A23 , SML50C15 , SML50J10RU2 , SML50J44F , SML50L47F , IRFB3607 , SML8028JVR , SML8030LVR , SML8056BVR , SML8065BVR , SML8075BVR , SML80B13F , SML80B16F , SML80J25F .

History: SFG10R140DF | WMO15N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.