SML6609ASMD05 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SML6609ASMD05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-276AA
Аналог (замена) для SML6609ASMD05
SML6609ASMD05 Datasheet (PDF)
sml6609asmd05.pdf

P-CHANNEL POWER MOSFET SML6609ASMD05 Electrically Isolated and Hermetically Sealed Surface Mount Package Ultra Low On State Resistance Fast Switching Low Gate Charge Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -30V VGS Gate Source Voltage 20V ID Continuous Drain Cu
Другие MOSFET... SML3525HN , SML4020AN , SML40H19 , SML50A23 , SML50C15 , SML50J10RU2 , SML50J44F , SML50L47F , IRFB3607 , SML8028JVR , SML8030LVR , SML8056BVR , SML8065BVR , SML8075BVR , SML80B13F , SML80B16F , SML80J25F .
History: 2SK3105 | AP4543GEM-HF | IRH7230
History: 2SK3105 | AP4543GEM-HF | IRH7230



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726