Справочник MOSFET. SML6609ASMD05

 

SML6609ASMD05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML6609ASMD05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-276AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML6609ASMD05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  semelab
sml6609asmd05.pdfpdf_icon

SML6609ASMD05

P-CHANNEL POWER MOSFET SML6609ASMD05 Electrically Isolated and Hermetically Sealed Surface Mount Package Ultra Low On State Resistance Fast Switching Low Gate Charge Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -30V VGS Gate Source Voltage 20V ID Continuous Drain Cu

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BR12N60 | IRFP460N | 2SK417 | CS6N100F | RJK03E9DPA | TPC65R260M | BRCS100N06BD

 

 
Back to Top

 


 
.