SML6609ASMD05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SML6609ASMD05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-276AA

Аналог (замена) для SML6609ASMD05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML6609ASMD05 даташит

 ..1. Size:349K  semelab
 sml6609asmd05.pdf pdf_icon

SML6609ASMD05

P-CHANNEL POWER MOSFET SML6609ASMD05 Electrically Isolated and Hermetically Sealed Surface Mount Package Ultra Low On State Resistance Fast Switching Low Gate Charge Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage -30V VGS Gate Source Voltage 20V ID Continuous Drain Cu

Другие IGBT... SML3525HN, SML4020AN, SML40H19, SML50A23, SML50C15, SML50J10RU2, SML50J44F, SML50L47F, K4145, SML8028JVR, SML8030LVR, SML8056BVR, SML8065BVR, SML8075BVR, SML80B13F, SML80B16F, SML80J25F