SMMB912DK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMMB912DK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-75
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMMB912DK
SMMB912DK Datasheet (PDF)
smmb912dk.pdf
New ProductSMMB912DKVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY High Quality Manufacturing Process Using SMMVDS (V) 20Process FlowRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.216 Halogen-free According to IEC 61249-2-21RDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.268DefinitionRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.375 TrenchFET Power MOSFETID (A)a 1.5 New Ther
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Liste
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