SMMB912DK Todos los transistores

 

SMMB912DK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMMB912DK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 73 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC-75

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SMMB912DK Datasheet (PDF)

1.1. smmb912dk.pdf Size:210K _update_mosfet

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New Product SMMB912DK Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • High Quality Manufacturing Process Using SMM VDS (V) 20 Process Flow RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V 0.216 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 RDS(on) (Ω) at VGS = 2.5 V 0.268 Definition RDS(on) (Ω) at VGS = 1.8 V 0.375 • TrenchFET® Power MOSFET ID (A)a 1.5 • New Ther

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