SMMB912DK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SMMB912DK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 73 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SC-75
SMMB912DK Datasheet (PDF)
smmb912dk.pdf
New ProductSMMB912DKVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY High Quality Manufacturing Process Using SMMVDS (V) 20Process FlowRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.216 Halogen-free According to IEC 61249-2-21RDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.268DefinitionRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.375 TrenchFET Power MOSFETID (A)a 1.5 New Ther
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918