SMMB912DK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMMB912DK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SC-75

Аналог (замена) для SMMB912DK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMMB912DK даташит

 ..1. Size:210K  vishay
 smmb912dk.pdf pdf_icon

SMMB912DK

New Product SMMB912DK Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY High Quality Manufacturing Process Using SMM VDS (V) 20 Process Flow RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.216 Halogen-free According to IEC 61249-2-21 RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.268 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 1.8 V 0.375 TrenchFET Power MOSFET ID (A)a 1.5 New Ther

Другие IGBT... SML901R3AN, SML902R4BN, SML902RBN, SML9030-220M, SML9030-220M-ISO, SML9030-T254, SMM2348ES, SMMA511DJ, 10N65, SMMBFJ310LT1G, SMMBFJ310LT3G, SMOS21N50, SMOS26N50, SMOS44N50, SMOS44N50D2, SMOS44N50D3, SMOS44N80