Справочник MOSFET. SMMB912DK

 

SMMB912DK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMMB912DK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SC-75
 

 Аналог (замена) для SMMB912DK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMMB912DK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  vishay
 smmb912dk.pdf pdf_icon

SMMB912DK

New ProductSMMB912DKVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY High Quality Manufacturing Process Using SMMVDS (V) 20Process FlowRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.216 Halogen-free According to IEC 61249-2-21RDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.268DefinitionRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.375 TrenchFET Power MOSFETID (A)a 1.5 New Ther

Другие MOSFET... SML901R3AN , SML902R4BN , SML902RBN , SML9030-220M , SML9030-220M-ISO , SML9030-T254 , SMM2348ES , SMMA511DJ , STP80NF70 , SMMBFJ310LT1G , SMMBFJ310LT3G , SMOS21N50 , SMOS26N50 , SMOS44N50 , SMOS44N50D2 , SMOS44N50D3 , SMOS44N80 .

History: IRFB5620 | RU30P4C6 | WMM07N60C4 | NP100N055MDH | NCE3407 | 1H10 | 9N90

 

 
Back to Top

 


 
.