SMMBFJ310LT1G Todos los transistores

 

SMMBFJ310LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMMBFJ310LT1G

Código: 6T

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.225 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.06 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 17 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 15 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 125 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-23

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SMMBFJ310LT1G Datasheet (PDF)

1.1. smmbfj310lt1g smmbfj310lt3g.pdf Size:101K _update_mosfet

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MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ310L JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel http://onsemi.com Features 2 SOURCE • Drain and Source are Interchangeable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 3 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and GATE PPAP Capable • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 DRAIN Co

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