SMMBFJ310LT1G Todos los transistores

 

SMMBFJ310LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMMBFJ310LT1G
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.06 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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SMMBFJ310LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  onsemi
 smmbfj310lt1g smmbfj310lt3g.pdf pdf_icon

SMMBFJ310LT1G

MMBFJ309L, MMBFJ310L,SMMBFJ310LJFET - VHF/UHF AmplifierTransistorN-Channelhttp://onsemi.comFeatures2 SOURCE Drain and Source are Interchangeable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique3Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andGATEPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1 DRAINCo

Otros transistores... SML902R4BN , SML902RBN , SML9030-220M , SML9030-220M-ISO , SML9030-T254 , SMM2348ES , SMMA511DJ , SMMB912DK , 5N60 , SMMBFJ310LT3G , SMOS21N50 , SMOS26N50 , SMOS44N50 , SMOS44N50D2 , SMOS44N50D3 , SMOS44N80 , SMOS48N50 .

History: SWN7N65D | GSM4896

 

 
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