Справочник MOSFET. SMMBFJ310LT1G

 

SMMBFJ310LT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMMBFJ310LT1G
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.06 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMMBFJ310LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  onsemi
 smmbfj310lt1g smmbfj310lt3g.pdf pdf_icon

SMMBFJ310LT1G

MMBFJ309L, MMBFJ310L,SMMBFJ310LJFET - VHF/UHF AmplifierTransistorN-Channelhttp://onsemi.comFeatures2 SOURCE Drain and Source are Interchangeable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique3Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andGATEPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1 DRAINCo

Другие MOSFET... SML902R4BN , SML902RBN , SML9030-220M , SML9030-220M-ISO , SML9030-T254 , SMM2348ES , SMMA511DJ , SMMB912DK , 13N50 , SMMBFJ310LT3G , SMOS21N50 , SMOS26N50 , SMOS44N50 , SMOS44N50D2 , SMOS44N50D3 , SMOS44N80 , SMOS48N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.