SMMBFJ310LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SMMBFJ310LT1G  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.06 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 125 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SMMBFJ310LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMMBFJ310LT1G даташит

 ..1. Size:101K  onsemi
 smmbfj310lt1g smmbfj310lt3g.pdf pdf_icon

SMMBFJ310LT1G

MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ310L JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel http //onsemi.com Features 2 SOURCE Drain and Source are Interchangeable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 3 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and GATE PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 DRAIN Co

Другие IGBT... SML902R4BN, SML902RBN, SML9030-220M, SML9030-220M-ISO, SML9030-T254, SMM2348ES, SMMA511DJ, SMMB912DK, TK10A60D, SMMBFJ310LT3G, SMOS21N50, SMOS26N50, SMOS44N50, SMOS44N50D2, SMOS44N50D3, SMOS44N80, SMOS48N50