SMOS26N50 Todos los transistores

 

SMOS26N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMOS26N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AD
 

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SMOS26N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  sirectifier
 smos21n50 smos26n50.pdf pdf_icon

SMOS26N50

SMOS21N50, SMOS26N50Power MOSFETsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640D 3.55 3.65 0.140 0.144S(TAB) E 4.32 5.49 0.170 0.216DG F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055G=Gate, D=Drain,K 10.8 11.0 0.426 0.433S=Source,TAB=Drain

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History: SWD4N65DD | HS54095TZ-E | IRFB260N | NCEP030N85GU | WMS09N06TS | RCX050N25 | IRHYB67134CM

 

 
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