SMOS26N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMOS26N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO-247AD

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SMOS26N50 datasheet

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SMOS26N50

SMOS21N50, SMOS26N50 Power MOSFETs Dimensions TO-247AD Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 D 3.55 3.65 0.140 0.144 S (TAB) E 4.32 5.49 0.170 0.216 D G F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 G=Gate, D=Drain, K 10.8 11.0 0.426 0.433 S=Source,TAB=Drain

Otros transistores... SML9030-220M-ISO, SML9030-T254, SMM2348ES, SMMA511DJ, SMMB912DK, SMMBFJ310LT1G, SMMBFJ310LT3G, SMOS21N50, AO3407, SMOS44N50, SMOS44N50D2, SMOS44N50D3, SMOS44N80, SMOS48N50, SMP3003-DL-1E, SMP3003-DL-E, SMP3003-TL-1E