Справочник MOSFET. SMOS26N50

 

SMOS26N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMOS26N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 135 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SMOS26N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  sirectifier
 smos21n50 smos26n50.pdf pdf_icon

SMOS26N50

SMOS21N50, SMOS26N50Power MOSFETsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640D 3.55 3.65 0.140 0.144S(TAB) E 4.32 5.49 0.170 0.216DG F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055G=Gate, D=Drain,K 10.8 11.0 0.426 0.433S=Source,TAB=Drain

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.