SMOS26N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SMOS26N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO-247AD
Аналог (замена) для SMOS26N50
SMOS26N50 Datasheet (PDF)
smos21n50 smos26n50.pdf

SMOS21N50, SMOS26N50Power MOSFETsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640D 3.55 3.65 0.140 0.144S(TAB) E 4.32 5.49 0.170 0.216DG F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H - 4.5 - 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055G=Gate, D=Drain,K 10.8 11.0 0.426 0.433S=Source,TAB=Drain
Другие MOSFET... SML9030-220M-ISO , SML9030-T254 , SMM2348ES , SMMA511DJ , SMMB912DK , SMMBFJ310LT1G , SMMBFJ310LT3G , SMOS21N50 , 7N60 , SMOS44N50 , SMOS44N50D2 , SMOS44N50D3 , SMOS44N80 , SMOS48N50 , SMP3003-DL-1E , SMP3003-DL-E , SMP3003-TL-1E .
History: SK04N65B | RD3G600GN | SRT045N012HTC-GS | IRLU120
History: SK04N65B | RD3G600GN | SRT045N012HTC-GS | IRLU120



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor