SMOS26N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMOS26N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO-247AD

Аналог (замена) для SMOS26N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMOS26N50 даташит

 ..1. Size:135K  sirectifier
 smos21n50 smos26n50.pdf pdf_icon

SMOS26N50

SMOS21N50, SMOS26N50 Power MOSFETs Dimensions TO-247AD Dim. Millimeter Inches Min. Max. Min. Max. A 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 D 3.55 3.65 0.140 0.144 S (TAB) E 4.32 5.49 0.170 0.216 D G F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 G=Gate, D=Drain, K 10.8 11.0 0.426 0.433 S=Source,TAB=Drain

Другие IGBT... SML9030-220M-ISO, SML9030-T254, SMM2348ES, SMMA511DJ, SMMB912DK, SMMBFJ310LT1G, SMMBFJ310LT3G, SMOS21N50, AO3407, SMOS44N50, SMOS44N50D2, SMOS44N50D3, SMOS44N80, SMOS48N50, SMP3003-DL-1E, SMP3003-DL-E, SMP3003-TL-1E