VN3205N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VN3205N8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
- Selección de transistores por parámetros
VN3205N8 Datasheet (PDF)
vn3205.pdf

Supertex inc. VN3205N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdownThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirementa vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of parallelingsilicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching s
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History: VBM1638 | BRCS2321MA | SFP066N80C3 | SVF10N60STR | 6N65KG-TF3-T | NCEP60T20 | 2SK3874-01R
History: VBM1638 | BRCS2321MA | SFP066N80C3 | SVF10N60STR | 6N65KG-TF3-T | NCEP60T20 | 2SK3874-01R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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