VN3205N8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VN3205N8
Маркировка: VN2L*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT-89
VN3205N8 Datasheet (PDF)
8.1. Size:687K supertex
vn3205.pdf
vn3205.pdf
Supertex inc. VN3205N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeatures General Description Free from secondary breakdownThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirementa vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of parallelingsilicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching s
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
