VN3205N8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN3205N8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для VN3205N8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN3205N8 даташит

 8.1. Size:687K  supertex
 vn3205.pdf pdf_icon

VN3205N8

Supertex inc. VN3205 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirement a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven Ease of paralleling silicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching s

Другие IGBT... SMOS48N50, SMP3003-DL-1E, SMP3003-DL-E, SMP3003-TL-1E, SN7002N, SN7002W, VN30AB, VN3205N3, STP65NF06, VN3515L, VN35AB, VN35AK, VN4012L, VN66AD, VN66AK, VN67AB, VN67AD