VP0550 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VP0550
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.054 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de VP0550 MOSFET
VP0550 Datasheet (PDF)
vp0550.pdf

Supertex inc. VP0550P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdownThe Supertex VP0550 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of parallelingThis combination produ
Otros transistores... VNS009D , VNT008A , VNT008D , VNT009A , VNT009D , VP0104 , VP0106 , VP0109 , IRF540 , VP0808 , VP1008CSM4 , VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , VP2206N3 , VP2450N3 , VP2450N8 .
History: AOT190A60CL | RU30S4H | SSF1006A | AOT190A60L | AOT160A60L | TK25S06N1L
History: AOT190A60CL | RU30S4H | SSF1006A | AOT190A60L | AOT160A60L | TK25S06N1L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet