VP0550 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VP0550
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.054 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

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VP0550 Datasheet (PDF)

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vp0550.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: