VP0550. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VP0550

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.054 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 125 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для VP0550

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP0550 даташит

 ..1. Size:607K  supertex
 vp0550.pdf pdf_icon

VP0550

Supertex inc. VP0550 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features General Description Free from secondary breakdown The Supertex VP0550 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of paralleling This combination produ

Другие IGBT... VNS009D, VNT008A, VNT008D, VNT009A, VNT009D, VP0104, VP0106, VP0109, IRF540, VP0808, VP1008CSM4, VP2106, VP2110, VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8