VP1008CSM4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VP1008CSM4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VP1008CSM4

VP1008CSM4 Datasheet (PDF)

..1. Size:145K semelab
vp1008csm4.pdf

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET VP1008CSM4 Low On-Resistance, RDS(on) Moderate Threshold, VGS(th) Low Input Capacitance, CISS Fast Switching Speed Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally Suited For Power Supply Circuits, Switching And Driver (Relay, Solenoid, Lamp etc.) Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

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