VP1008CSM4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VP1008CSM4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: LCC3

Аналог (замена) для VP1008CSM4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP1008CSM4 даташит

 ..1. Size:145K  semelab
 vp1008csm4.pdf pdf_icon

VP1008CSM4

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET VP1008CSM4 Low On-Resistance, RDS(on) Moderate Threshold, VGS(th) Low Input Capacitance, CISS Fast Switching Speed Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally Suited For Power Supply Circuits, Switching And Driver (Relay, Solenoid, Lamp etc.) Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

Другие IGBT... VNT008D, VNT009A, VNT009D, VP0104, VP0106, VP0109, VP0550, VP0808, IRFP460, VP2106, VP2110, VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8, VP3203N3, VP3203N8