Справочник MOSFET. VP1008CSM4

 

VP1008CSM4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VP1008CSM4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: LCC3
 

 Аналог (замена) для VP1008CSM4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP1008CSM4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  semelab
 vp1008csm4.pdf pdf_icon

VP1008CSM4

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET VP1008CSM4 Low On-Resistance, RDS(on) Moderate Threshold, VGS(th) Low Input Capacitance, CISS Fast Switching Speed Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally Suited For Power Supply Circuits, Switching And Driver (Relay, Solenoid, Lamp etc.) Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

Другие MOSFET... VNT008D , VNT009A , VNT009D , VP0104 , VP0106 , VP0109 , VP0550 , VP0808 , IRF640 , VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , VP2206N3 , VP2450N3 , VP2450N8 , VP3203N3 , VP3203N8 .

 

 
Back to Top

 


 
.