VP2206N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VP2206N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.64 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de VP2206N3 MOSFET
VP2206N3 Datasheet (PDF)
vp2206.pdf

Supertex inc. VP2206P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdownThe Supertex VP2206 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of parallelingThis combination produces
Otros transistores... VP0106 , VP0109 , VP0550 , VP0808 , VP1008CSM4 , VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , IRFB4110 , VP2450N3 , VP2450N8 , VP3203N3 , VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 .
History: UTN3055 | 2SK1662M | IRFP9150
History: UTN3055 | 2SK1662M | IRFP9150



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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