VP2206N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VP2206N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO-92

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VP2206N3 datasheet

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VP2206N3

Supertex inc. VP2206 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown The Supertex VP2206 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of paralleling This combination produces

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