VP2206N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VP2206N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для VP2206N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP2206N3 даташит

 8.1. Size:692K  supertex
 vp2206.pdf pdf_icon

VP2206N3

Supertex inc. VP2206 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown The Supertex VP2206 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of paralleling This combination produces

Другие IGBT... VP0106, VP0109, VP0550, VP0808, VP1008CSM4, VP2106, VP2110, VP2206N2, IRLZ44N, VP2450N3, VP2450N8, VP3203N3, VP3203N8, VP5225, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10