Справочник MOSFET. VP2206N3

 

VP2206N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VP2206N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VP2206N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP2206N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:692K  supertex
 vp2206.pdf pdf_icon

VP2206N3

Supertex inc. VP2206P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdownThe Supertex VP2206 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of parallelingThis combination produces

Другие MOSFET... VP0106 , VP0109 , VP0550 , VP0808 , VP1008CSM4 , VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , IRFP260N , VP2450N3 , VP2450N8 , VP3203N3 , VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.