Справочник MOSFET. VP2206N3

 

VP2206N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VP2206N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.74 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.64 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 16 ns
   Выходная емкость (Cd): 125 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для VP2206N3

 

 

VP2206N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:692K  supertex
 vp2206.pdf

VP2206N3 VP2206N3

Supertex inc. VP2206P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdownThe Supertex VP2206 is an enhancement-mode (normally- Low power drive requirement off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of parallelingThis combination produces

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top