VP2450N3 Todos los transistores

 

VP2450N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VP2450N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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VP2450N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:849K  supertex
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VP2450N3

VP2450P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdown The Supertex VP2450 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirementand Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing Ease of parallelingprocess. This combination produces a device with

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History: 2SK3112-S | AP4455GMT-HF | SLF5N60C | AFP8206 | SQM18N33-160H | IRF7805A

 

 
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