VP2450N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VP2450N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 75 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 30 Ohm
Тип корпуса: TO-92
VP2450N3 Datasheet (PDF)
8.1. Size:849K supertex
vp2450.pdf
vp2450.pdf
VP2450P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdown The Supertex VP2450 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirementand Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing Ease of parallelingprocess. This combination produces a device with
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
