VP3203N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VP3203N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-92

 Búsqueda de reemplazo de VP3203N3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VP3203N3 datasheet

 8.1. Size:581K  supertex
 vp3203.pdf pdf_icon

VP3203N3

VP3203 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown The Supertex VP3203 is an enhancement-mode (normally- off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirement and Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing Ease of paralleling process. This combination produces a device with

Otros transistores... VP0808, VP1008CSM4, VP2106, VP2110, VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8, IRFP260N, VP3203N8, VP5225, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, VT6J1