VP3203N3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VP3203N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для VP3203N3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VP3203N3 даташит
vp3203.pdf
VP3203 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown The Supertex VP3203 is an enhancement-mode (normally- off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirement and Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing Ease of paralleling process. This combination produces a device with
Другие MOSFET... VP0808 , VP1008CSM4 , VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , VP2206N3 , VP2450N3 , VP2450N8 , IRFP260N , VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 , VS-FC220SA20 , VS-FC80NA20 , VT6J1 .
History: 2SK591 | AOC2403
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526

