Справочник MOSFET. VP3203N3

 

VP3203N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VP3203N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP3203N3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:581K  supertex
 vp3203.pdf pdf_icon

VP3203N3

VP3203P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral Description Free from secondary breakdown The Supertex VP3203 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirementand Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing Ease of parallelingprocess. This combination produces a device with

Другие MOSFET... VP0808 , VP1008CSM4 , VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , VP2206N3 , VP2450N3 , VP2450N8 , 10N60 , VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 , VS-FC220SA20 , VS-FC80NA20 , VT6J1 .

History: SN7002W | FDB12N50F

 

 
Back to Top

 


 
.