VP5225 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VP5225
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.645 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de VP5225 MOSFET
VP5225 Datasheet (PDF)
vp5225.pdf

VP5225P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (-2.4V max.)This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedancetransistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Low input capacitancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speedscombination produces a de
Otros transistores... VP2106 , VP2110 , VP2206N2 , VP2206N3 , VP2450N3 , VP2450N8 , VP3203N3 , VP3203N8 , AON6414A , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 , VS-FC220SA20 , VS-FC80NA20 , VT6J1 , VT6K1 , VT6M1 .
History: WSD2018DN22 | SQM120P04-04L | BRF7N60 | WNM2024 | APQ84SN06AD | IPP50R250CP | APT8020JLL
History: WSD2018DN22 | SQM120P04-04L | BRF7N60 | WNM2024 | APQ84SN06AD | IPP50R250CP | APT8020JLL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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