VP5225 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VP5225

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.645 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO-252

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VP5225 datasheet

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VP5225

VP5225 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Low input capacitance well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speeds combination produces a de

Otros transistores... VP2106, VP2110, VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8, VP3203N3, VP3203N8, IRFB4227, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, VT6J1, VT6K1, VT6M1