VP5225 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VP5225
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.645 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VP5225
VP5225 Datasheet (PDF)
vp5225.pdf
VP5225P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (-2.4V max.)This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedancetransistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Low input capacitancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speedscombination produces a de
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Liste
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