VP5225 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VP5225
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.645 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
VP5225 Datasheet (PDF)
vp5225.pdf

VP5225P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (-2.4V max.)This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedancetransistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Low input capacitancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speedscombination produces a de
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IXFL44N80 | HCP12NK65V | BSZ014NE2LS5IF | IRFHM8329PBF | NCE60P82AK | STI200N6F3 | TSM4410CS
History: IXFL44N80 | HCP12NK65V | BSZ014NE2LS5IF | IRFHM8329PBF | NCE60P82AK | STI200N6F3 | TSM4410CS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318