VP5225. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VP5225

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.645 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для VP5225

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP5225 даташит

 ..1. Size:660K  supertex
 vp5225.pdf pdf_icon

VP5225

VP5225 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (-2.4V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Low input capacitance well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speeds combination produces a de

Другие IGBT... VP2106, VP2110, VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8, VP3203N3, VP3203N8, IRFB4227, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, VT6J1, VT6K1, VT6M1