VS-FC80NA20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS-FC80NA20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 405 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 161 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 215 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-227
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS-FC80NA20
VS-FC80NA20 Datasheet (PDF)
vs-fc80na20.pdf
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vs-fc220sa20.pdf
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Liste
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