VS-FC80NA20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-FC80NA20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 405 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 215 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOT-227

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VS-FC80NA20 datasheet

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VS-FC80NA20

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VS-FC80NA20

VS-FC220SA20 www.vishay.com Vishay Semiconductors SOT-227 Power Module Single Switch - Power MOSFET, 220 A FEATURES Enhanced body diode dV/dt and dIF/dt capability Improved gate avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche SOA Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Simple drive requirem

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