VS-FC80NA20 Todos los transistores

 

VS-FC80NA20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS-FC80NA20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 405 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 215 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227
 

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VS-FC80NA20 Datasheet (PDF)

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VS-FC80NA20

VS-FC80NA20www.vishay.comVishay SemiconductorsSOT-227 Power Module High Side Chopper - Power MOSFET, 100 AFEATURES3 (D)MOSFET Enhanced body diode dV/dt and dIF/dt capability Improved gate avalanche and dynamic dV/dt 2 (G)ruggedness1 Fully characterized capacitance and avalanche SOA(S, K) Fully isolated packageSOT-227 Easy to use and parallel

 9.1. Size:280K  vishay
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VS-FC80NA20

VS-FC220SA20www.vishay.comVishay SemiconductorsSOT-227 Power Module Single Switch - Power MOSFET, 220 AFEATURES Enhanced body diode dV/dt and dIF/dt capability Improved gate avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche SOA Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Simple drive requirem

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History: STB190NF04 | PDEC2210V | HSCB2016

 

 
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