VS-FC80NA20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS-FC80NA20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 405 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 161 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 215 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 810 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS-FC80NA20

VS-FC80NA20 Datasheet (PDF)

..1. Size:336K vishay
vs-fc80na20.pdf

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9.1. Size:280K vishay
vs-fc220sa20.pdf

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Liste

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