Справочник MOSFET. VS-FC80NA20

 

VS-FC80NA20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS-FC80NA20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 405 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 215 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для VS-FC80NA20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS-FC80NA20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  vishay
 vs-fc80na20.pdf pdf_icon

VS-FC80NA20

VS-FC80NA20www.vishay.comVishay SemiconductorsSOT-227 Power Module High Side Chopper - Power MOSFET, 100 AFEATURES3 (D)MOSFET Enhanced body diode dV/dt and dIF/dt capability Improved gate avalanche and dynamic dV/dt 2 (G)ruggedness1 Fully characterized capacitance and avalanche SOA(S, K) Fully isolated packageSOT-227 Easy to use and parallel

 9.1. Size:280K  vishay
 vs-fc220sa20.pdf pdf_icon

VS-FC80NA20

VS-FC220SA20www.vishay.comVishay SemiconductorsSOT-227 Power Module Single Switch - Power MOSFET, 220 AFEATURES Enhanced body diode dV/dt and dIF/dt capability Improved gate avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche SOA Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Simple drive requirem

Другие MOSFET... VP2450N8 , VP3203N3 , VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 , VS-FC220SA20 , IRF9540 , VT6J1 , VT6K1 , VT6M1 , HAF1002L , HAF1002S , HAF1003L , HAF1003S , HAF1004L .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.