VS-FC80NA20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS-FC80NA20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 405 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 215 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOT-227

Аналог (замена) для VS-FC80NA20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS-FC80NA20 даташит

 ..1. Size:336K  vishay
 vs-fc80na20.pdf pdf_icon

VS-FC80NA20

VS-FC80NA20 www.vishay.com Vishay Semiconductors SOT-227 Power Module High Side Chopper - Power MOSFET, 100 A FEATURES 3 (D) MOSFET Enhanced body diode dV/dt and dIF/dt capability Improved gate avalanche and dynamic dV/dt 2 (G) ruggedness 1 Fully characterized capacitance and avalanche SOA (S, K) Fully isolated package SOT-227 Easy to use and parallel

 9.1. Size:280K  vishay
 vs-fc220sa20.pdf pdf_icon

VS-FC80NA20

VS-FC220SA20 www.vishay.com Vishay Semiconductors SOT-227 Power Module Single Switch - Power MOSFET, 220 A FEATURES Enhanced body diode dV/dt and dIF/dt capability Improved gate avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche SOA Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Simple drive requirem

Другие IGBT... VP2450N8, VP3203N3, VP3203N8, VP5225, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, 2N7000, VT6J1, VT6K1, VT6M1, HAF1002L, HAF1002S, HAF1003L, HAF1003S, HAF1004L