VT6J1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VT6J1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm

Encapsulados: VMT6

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VT6J1 datasheet

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VT6J1

1.2V Drive Pch + Pch MOSFET VT6J1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT6 1.2 0.5 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) 2) Small package(VMT6). 0.16 0.13 3) Low voltage drive(1.2V drive). 0.4 0.4 0.8 0.1 Abbreviated symbol J01 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping

Otros transistores... VP3203N3, VP3203N8, VP5225, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, P55NF06, VT6K1, VT6M1, HAF1002L, HAF1002S, HAF1003L, HAF1003S, HAF1004L, HAF1004S