VT6J1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VT6J1
   Código: J01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: VMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VT6J1

VT6J1 Datasheet (PDF)

..1. Size:258K rohm
vt6j1.pdf

1.2V Drive Pch + Pch MOSFET VT6J1Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETVMT61.2 0.5(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3)2) Small package(VMT6).0.16 0.133) Low voltage drive(1.2V drive). 0.4 0.40.80.1Abbreviated symbol : J01 ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package Taping

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Liste

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