Справочник MOSFET. VT6J1

 

VT6J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VT6J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm
   Тип корпуса: VMT6
 

 Аналог (замена) для VT6J1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VT6J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  rohm
 vt6j1.pdf pdf_icon

VT6J1

1.2V Drive Pch + Pch MOSFET VT6J1Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETVMT61.2 0.5(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3)2) Small package(VMT6).0.16 0.133) Low voltage drive(1.2V drive). 0.4 0.40.80.1Abbreviated symbol : J01 ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package Taping

Другие MOSFET... VP3203N3 , VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 , VS-FC220SA20 , VS-FC80NA20 , IRFB4115 , VT6K1 , VT6M1 , HAF1002L , HAF1002S , HAF1003L , HAF1003S , HAF1004L , HAF1004S .

History: HGN028NE6AL | CS7456 | STF13N60M2 | SIHFD014 | IXTQ44P15T | SI7491DP

 

 
Back to Top

 


 
.