VT6J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VT6J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: VMT6

Аналог (замена) для VT6J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VT6J1 даташит

 ..1. Size:258K  rohm
 vt6j1.pdf pdf_icon

VT6J1

1.2V Drive Pch + Pch MOSFET VT6J1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT6 1.2 0.5 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) 2) Small package(VMT6). 0.16 0.13 3) Low voltage drive(1.2V drive). 0.4 0.4 0.8 0.1 Abbreviated symbol J01 Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping

Другие IGBT... VP3203N3, VP3203N8, VP5225, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, P55NF06, VT6K1, VT6M1, HAF1002L, HAF1002S, HAF1003L, HAF1003S, HAF1004L, HAF1004S