VT6K1 Todos los transistores

 

VT6K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VT6K1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: VMT6
 

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VT6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  rohm
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VT6K1

Data Sheet1.2V Drive Nch + Nch MOSFET VT6K1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT61.2 0.5(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3)2) Small package(VMT6).0.16 0.133) Low voltage drive(1.2V drive).0.4 0.40.80.1Abbreviated symbol : K01 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)

Otros transistores... VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 , VS-FC220SA20 , VS-FC80NA20 , VT6J1 , 2SK3878 , VT6M1 , HAF1002L , HAF1002S , HAF1003L , HAF1003S , HAF1004L , HAF1004S , HAF2007L .

History: SQJ420EP | R6015ANZ | 5N65KG-TMS-T | WMK08N60C4 | FDD6670S | AS2102W | STB40NF10LT4

 

 
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