Справочник MOSFET. VT6K1

 

VT6K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VT6K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: VMT6
 

 Аналог (замена) для VT6K1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VT6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  rohm
 vt6k1.pdf pdf_icon

VT6K1

Data Sheet1.2V Drive Nch + Nch MOSFET VT6K1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT61.2 0.5(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3)2) Small package(VMT6).0.16 0.133) Low voltage drive(1.2V drive).0.4 0.40.80.1Abbreviated symbol : K01 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)

Другие MOSFET... VP3203N8 , VP5225 , VS-FA40SA50LC , VS-FA72SA50LC , VS-FB190SA10 , VS-FC220SA20 , VS-FC80NA20 , VT6J1 , 2SK3878 , VT6M1 , HAF1002L , HAF1002S , HAF1003L , HAF1003S , HAF1004L , HAF1004S , HAF2007L .

History: AP75T10GP | NCEP40P65QU | PM516BZ | P5015BD

 

 
Back to Top

 


 
.