VT6M1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VT6M1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: VMT6

 Búsqueda de reemplazo de VT6M1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VT6M1 datasheet

 ..1. Size:670K  rohm
 vt6m1.pdf pdf_icon

VT6M1

Data Sheet 1.2V Drive Nch + Pch MOSFET VT6M1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ VMT6 Silicon P-channel MOSFET 1.2 0.5 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) 2) Small package(VMT6). 0.16 0.13 3) Low voltage drive(1.2V drive). 0.4 0.4 0.8 0.1 Abbreviated symbol M01 Application Switching Packaging specifications In

Otros transistores... VP5225, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, VT6J1, VT6K1, 7N65, HAF1002L, HAF1002S, HAF1003L, HAF1003S, HAF1004L, HAF1004S, HAF2007L, HAF2007S