VT6M1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VT6M1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: VMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VT6M1

VT6M1 Datasheet (PDF)

..1. Size:670K rohm
vt6m1.pdf

Data Sheet1.2V Drive Nch + Pch MOSFET VT6M1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/VMT6Silicon P-channel MOSFET1.2 0.5(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3)2) Small package(VMT6).0.16 0.133) Low voltage drive(1.2V drive). 0.4 0.40.80.1Abbreviated symbol : M01 ApplicationSwitching Packaging specifications In

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History: SI4874BDY

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: