VT6M1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VT6M1
Маркировка: M01
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3.3 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: VMT6
VT6M1 Datasheet (PDF)
vt6m1.pdf
Data Sheet1.2V Drive Nch + Pch MOSFET VT6M1 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET/VMT6Silicon P-channel MOSFET1.2 0.5(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3)2) Small package(VMT6).0.16 0.133) Low voltage drive(1.2V drive). 0.4 0.40.80.1Abbreviated symbol : M01 ApplicationSwitching Packaging specifications In
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100