VT6M1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VT6M1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: VMT6

Аналог (замена) для VT6M1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VT6M1 даташит

 ..1. Size:670K  rohm
 vt6m1.pdf pdf_icon

VT6M1

Data Sheet 1.2V Drive Nch + Pch MOSFET VT6M1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET/ VMT6 Silicon P-channel MOSFET 1.2 0.5 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) 2) Small package(VMT6). 0.16 0.13 3) Low voltage drive(1.2V drive). 0.4 0.4 0.8 0.1 Abbreviated symbol M01 Application Switching Packaging specifications In

Другие IGBT... VP5225, VS-FA40SA50LC, VS-FA72SA50LC, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, VT6J1, VT6K1, 7N65, HAF1002L, HAF1002S, HAF1003L, HAF1003S, HAF1004L, HAF1004S, HAF2007L, HAF2007S