HCD6NC70S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCD6NC70S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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HCD6NC70S datasheet

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HCD6NC70S

Dec 2013 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 1.05 HCD6NC70S ID = 5.0 A 700V N-Channel Super Junction MOSFET D-PAK FEATURES 2 Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 7 nC (Typ.) Extended Safe Operati

Otros transistores... HAT2033RJ, HAT2038RJ, HAT2114RJ, HAT2126RP, HAT2153R, HAT2265H, HAT3008RJ, HAT3018RJ, IRFB3607, HCD7N70S, HCH20NT60V, HCP12NK65V, HCP20NT60V, HCS12NK65V, HCS20NT60V, HCT7000M, HCT7000MTXV