HCD6NC70S - аналоги и даташиты транзистора

 

HCD6NC70S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HCD6NC70S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для HCD6NC70S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCD6NC70S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  semihow
 hcd6nc70s.pdf pdf_icon

HCD6NC70S

Dec 2013BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.05 HCD6NC70S ID = 5.0 A700V N-Channel Super Junction MOSFETD-PAKFEATURES 2 Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 7 nC (Typ.) Extended Safe Operati

Другие MOSFET... HAT2033RJ , HAT2038RJ , HAT2114RJ , HAT2126RP , HAT2153R , HAT2265H , HAT3008RJ , HAT3018RJ , IRFB3607 , HCD7N70S , HCH20NT60V , HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV .

 

 
Back to Top

 


 
.