HCD7N70S Todos los transistores

 

HCD7N70S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCD7N70S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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HCD7N70S Datasheet (PDF)

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HCD7N70S

Apr 2014BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 0.95 HCD7N70S ID = 6.0 A700V N-Channel Super Junction MOSFETD-PAKFEATURES 2 Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 9 nC (Typ.) Extended Safe Operatin

Otros transistores... HAT2038RJ , HAT2114RJ , HAT2126RP , HAT2153R , HAT2265H , HAT3008RJ , HAT3018RJ , HCD6NC70S , IRLZ44N , HCH20NT60V , HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S .

History: PMZ1000UN | HMS110N15 | IXFX220N17T2

 

 
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