Справочник MOSFET. HCD7N70S

 

HCD7N70S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCD7N70S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для HCD7N70S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCD7N70S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  semihow
 hcd7n70s.pdf pdf_icon

HCD7N70S

Apr 2014BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 0.95 HCD7N70S ID = 6.0 A700V N-Channel Super Junction MOSFETD-PAKFEATURES 2 Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 9 nC (Typ.) Extended Safe Operatin

Другие MOSFET... HAT2038RJ , HAT2114RJ , HAT2126RP , HAT2153R , HAT2265H , HAT3008RJ , HAT3018RJ , HCD6NC70S , IRLZ44N , HCH20NT60V , HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S .

History: SQ4936EY

 

 
Back to Top

 


 
.