HCD7N70S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCD7N70S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для HCD7N70S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCD7N70S даташит

 ..1. Size:191K  semihow
 hcd7n70s.pdf pdf_icon

HCD7N70S

Apr 2014 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 0.95 HCD7N70S ID = 6.0 A 700V N-Channel Super Junction MOSFET D-PAK FEATURES 2 Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 9 nC (Typ.) Extended Safe Operatin

Другие IGBT... HAT2038RJ, HAT2114RJ, HAT2126RP, HAT2153R, HAT2265H, HAT3008RJ, HAT3018RJ, HCD6NC70S, AON6380, HCH20NT60V, HCP12NK65V, HCP20NT60V, HCS12NK65V, HCS20NT60V, HCT7000M, HCT7000MTXV, HCU6N70S