HCH20NT60V Todos los transistores

 

HCH20NT60V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCH20NT60V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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HCH20NT60V Datasheet (PDF)

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HCH20NT60V

Apr 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.17 HCH20NT60V ID = 20 A600V N-Channel Super Junction MOSFETTO-3PFEATURES Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology23 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 54 nC (Typ.) Extended Safe Opera

Otros transistores... HAT2114RJ , HAT2126RP , HAT2153R , HAT2265H , HAT3008RJ , HAT3018RJ , HCD6NC70S , HCD7N70S , IRF530 , HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S , HCU7NE70S .

 

 
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