HCH20NT60V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCH20NT60V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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HCH20NT60V datasheet

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HCH20NT60V

Apr 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.17 HCH20NT60V ID = 20 A 600V N-Channel Super Junction MOSFET TO-3P FEATURES Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 54 nC (Typ.) Extended Safe Opera

Otros transistores... HAT2114RJ, HAT2126RP, HAT2153R, HAT2265H, HAT3008RJ, HAT3018RJ, HCD6NC70S, HCD7N70S, IRF530, HCP12NK65V, HCP20NT60V, HCS12NK65V, HCS20NT60V, HCT7000M, HCT7000MTXV, HCU6N70S, HCU7NE70S