HCH20NT60V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCH20NT60V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для HCH20NT60V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCH20NT60V даташит

 ..1. Size:370K  semihow
 hch20nt60v.pdf pdf_icon

HCH20NT60V

Apr 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.17 HCH20NT60V ID = 20 A 600V N-Channel Super Junction MOSFET TO-3P FEATURES Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 54 nC (Typ.) Extended Safe Opera

Другие IGBT... HAT2114RJ, HAT2126RP, HAT2153R, HAT2265H, HAT3008RJ, HAT3018RJ, HCD6NC70S, HCD7N70S, IRF530, HCP12NK65V, HCP20NT60V, HCS12NK65V, HCS20NT60V, HCT7000M, HCT7000MTXV, HCU6N70S, HCU7NE70S