HCP12NK65V Todos los transistores

 

HCP12NK65V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCP12NK65V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 32 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.38 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCP12NK65V

 

HCP12NK65V Datasheet (PDF)

1.1. hcp12nk65v.pdf Size:392K _update_mosfet

HCP12NK65V
HCP12NK65V

Apr 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 0.34 HCP12NK65V ID = 12 A 650V N-Channel Super Junction MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 32 nC (Typ.) Extended Safe Opera

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


HCP12NK65V
  HCP12NK65V
  HCP12NK65V
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SWP069R10VS | SWD069R10VS | SWI069R10VS | NTHL082N65S3F | NSVJ3557SA3 | NP90N06VLG | NP90N055VUK | NP90N055VUG | NP90N055VDG | NP90N055PUH | NP90N055PDH | NP90N055NUK | NP90N055NUH | NP90N055NDH | NP90N055MUK |

 

 

 
Back to Top