HCP12NK65V Todos los transistores

 

HCP12NK65V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCP12NK65V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 32 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.38 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

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HCP12NK65V Datasheet (PDF)

1.1. hcp12nk65v.pdf Size:392K _update_mosfet

HCP12NK65V
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Apr 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 0.34 HCP12NK65V ID = 12 A 650V N-Channel Super Junction MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 32 nC (Typ.) Extended Safe Opera

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