Справочник MOSFET. HCP12NK65V

 

HCP12NK65V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCP12NK65V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HCP12NK65V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCP12NK65V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  semihow
 hcp12nk65v.pdf pdf_icon

HCP12NK65V

Apr 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.34 HCP12NK65V ID = 12 A650V N-Channel Super Junction MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 32 nC (Typ.) Extended Safe Opera

Другие MOSFET... HAT2126RP , HAT2153R , HAT2265H , HAT3008RJ , HAT3018RJ , HCD6NC70S , HCD7N70S , HCH20NT60V , IRLB4132 , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S , HCU7NE70S , HFA9N90 .

History: AFN3414S

 

 
Back to Top

 


 
.