HCP20NT60V Todos los transistores

 

HCP20NT60V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCP20NT60V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 208 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 54 nC

Tiempo de elevación (tr): 110 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

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HCP20NT60V Datasheet (PDF)

1.1. hcp20nt60v.pdf Size:386K _update_mosfet

HCP20NT60V
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Apr 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.17 HCP20NT60V ID = 20 A 600V N-Channel Super Junction MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 54 nC (Typ.) Extended Safe Opera

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