HCP20NT60V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCP20NT60V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 208 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V
Carga de compuerta (Qg): 54 nC
Tiempo de elevación (tr): 110 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCP20NT60V
HCP20NT60V Datasheet (PDF)
1.1. hcp20nt60v.pdf 
Size:386K _update_mosfet
Apr 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.17 HCP20NT60V ID = 20 A 600V N-Channel Super Junction MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 54 nC (Typ.) Extended Safe Opera
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