Справочник MOSFET. HCP20NT60V

 

HCP20NT60V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCP20NT60V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HCP20NT60V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  semihow
 hcp20nt60v.pdf pdf_icon

HCP20NT60V

Apr 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.17 HCP20NT60V ID = 20 A600V N-Channel Super Junction MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 54 nC (Typ.) Extended Safe Opera

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.