Справочник MOSFET. HCP20NT60V

 

HCP20NT60V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCP20NT60V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HCP20NT60V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCP20NT60V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  semihow
 hcp20nt60v.pdf pdf_icon

HCP20NT60V

Apr 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.17 HCP20NT60V ID = 20 A600V N-Channel Super Junction MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 54 nC (Typ.) Extended Safe Opera

Другие MOSFET... HAT2153R , HAT2265H , HAT3008RJ , HAT3018RJ , HCD6NC70S , HCD7N70S , HCH20NT60V , HCP12NK65V , IRFP450 , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S , HCU7NE70S , HFA9N90 , HFB1N60S .

History: SWP072R72E7T | SQM120N04-1M7L | IXTT20P50P

 

 
Back to Top

 


 
.