HCS12NK65V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCS12NK65V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HCS12NK65V datasheet

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HCS12NK65V

Apr 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 0.34 HCS12NK65V ID = 12 A 650V N-Channel Super Junction MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 32 nC (Typ.) Extended Safe Ope

Otros transistores... HAT2265H, HAT3008RJ, HAT3018RJ, HCD6NC70S, HCD7N70S, HCH20NT60V, HCP12NK65V, HCP20NT60V, AON7506, HCS20NT60V, HCT7000M, HCT7000MTXV, HCU6N70S, HCU7NE70S, HFA9N90, HFB1N60S, HFB1N65S