Справочник MOSFET. HCS12NK65V

 

HCS12NK65V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCS12NK65V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HCS12NK65V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS12NK65V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:417K  semihow
 hcs12nk65v.pdf pdf_icon

HCS12NK65V

Apr 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.34 HCS12NK65V ID = 12 A650V N-Channel Super Junction MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 32 nC (Typ.) Extended Safe Ope

Другие MOSFET... HAT2265H , HAT3008RJ , HAT3018RJ , HCD6NC70S , HCD7N70S , HCH20NT60V , HCP12NK65V , HCP20NT60V , IRFP250 , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S , HCU7NE70S , HFA9N90 , HFB1N60S , HFB1N65S .

History: 7N80F | CSD18503Q5A | PNM523T703E0-2 | HM3205D | SVF18N50PN | FQD7P06TF | AFP2303A

 

 
Back to Top

 


 
.