HCU6N70S Todos los transistores

 

HCU6N70S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCU6N70S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 28 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 7 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.25 Ohm

Empaquetado / Estuche: I-PAK

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HCU6N70S Datasheet (PDF)

1.1. hcu6n70s.pdf Size:193K _update_mosfet

HCU6N70S
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Dec 2013 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 1.05 HCU6N70S ID = 5.0 A 700V N-Channel Super Junction MOSFET I-PAK FEATURES Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 7 nC (Typ.) Extended Safe Operati

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 
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