Справочник MOSFET. HCU6N70S

 

HCU6N70S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCU6N70S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для HCU6N70S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU6N70S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  semihow
 hcu6n70s.pdf pdf_icon

HCU6N70S

Dec 2013BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.05 HCU6N70S ID = 5.0 A700V N-Channel Super Junction MOSFETI-PAKFEATURES Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology23 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 7 nC (Typ.) Extended Safe Operati

Другие MOSFET... HCD7N70S , HCH20NT60V , HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , P60NF06 , HCU7NE70S , HFA9N90 , HFB1N60S , HFB1N65S , HFB1N70S , HFD1N60S , HFD1N65S , HFD2N60 .

History: DAMI220N150 | NCE60N640F | IRFZ46NPBF | HGW059N12SL | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.