HCU7NE70S Todos los transistores

 

HCU7NE70S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCU7NE70S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de HCU7NE70S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HCU7NE70S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  semihow
 hcu7ne70s.pdf pdf_icon

HCU7NE70S

Dec 2013BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 0.95 HCU7NE70S ID = 6.0 A700V N-Channel Super Junction MOSFETI-PAKFEATURES Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology23 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 9 nC (Typ.) Extended Safe Operat

Otros transistores... HCH20NT60V , HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S , 18N50 , HFA9N90 , HFB1N60S , HFB1N65S , HFB1N70S , HFD1N60S , HFD1N65S , HFD2N60 , HFD2N60S .

 

 
Back to Top

 


 
.