HCU7NE70S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCU7NE70S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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HCU7NE70S datasheet

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HCU7NE70S

Dec 2013 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 0.95 HCU7NE70S ID = 6.0 A 700V N-Channel Super Junction MOSFET I-PAK FEATURES Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 9 nC (Typ.) Extended Safe Operat

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